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PIP-MOS管

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MOS高壓場效應(yīng)450v 11A 0.5Ω管 產(chǎn)品型號:PTA11N45

  • MOS高壓場效應(yīng)450v 11A 0.5Ω管
產(chǎn)品簡介:PIP高壓場效應(yīng)管,額定電壓450v;額定電流11A;阻值范圍0.39Ω~0.5Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量28nc;Ciss寄生電容1250pF。
重點(diǎn)參數(shù):
額定電壓(DC)
450V
寄生電容 1250pF
額定電流 11A 電阻范圍 0.39Ω~0.5Ω
產(chǎn)品應(yīng)用:

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場效應(yīng)管
額定電壓 450V
額定電流
11A
阻值范圍
0.39Ω~0.5Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
28nc
寄生電容(Ciss
1250pF
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封裝類型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動汽車等;


相關(guān)知識

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻,作為開關(guān)電源的主開關(guān)MOS,以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開關(guān)完全打開,Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場效應(yīng)450v 11A 0.5Ω管

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